Dawon Kahng

Dawon Kahng (4 Mei 1931 – 13 Mei 1992) adalah seorang penemu dan insinyur listrik Korea-Amerika Serikat, yang dikenal atas pekerjaannya dalam elektronika solid-state. Dia dikenal karena menemukan MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), disebut juga transistor MOS, bersama Mohamed Atalla pada tahun 1959. Atalla dan Kahng mengembangkan proses PMOS dan NMOS untuk fabrikasi semikonduktor MOSFET. MOSFET adalah jenis transistor yang paling banyak digunakan, dan merupakan bagian paling dasar dari kebanyakan peralatan elektronik modern.

Atalla dan Kahng kemudian mengusulkan konsep sirkuit terpadu MOS, dan mereka mengerjakan diode Schottky dan transistor berbasis lapisan nano pada awal 1960-an. Kahng kemudian menciptakan floating-gate MOSFET (FGMOS) bersama Simon Sze pada tahun 1967. Kahng dan Sze mengusulkan bahwa FGMOS bisa digunakan sebagai sel memori floating-gate untuk memori non-volatile (NVM) dan memori hanya baca (ROM) yang bisa dibaca, yang menjadi dasar untuk teknologi EPROM (erasable programmable ROM), EEPROM (electrically erasable programmable ROM) dan memori kilat. Kahng dimasukkan ke dalam National Inventors Hall of Fame pada tahun 2009.

1. ^ "Dawon Kahng". National Inventors Hall of Fame. 2009. Diarsipkan dari versi asli tanggal 28 March 2009. Diakses tanggal 28 March 2009.  Parameter |url-status= yang tidak diketahui akan diabaikan (bantuan)
2. ^ New York Times obituary